[acf field=ver]★[acf field=rate]![acf field=edited]
인덕턴스/3상 1회선 1선당 작용 인덕턴스/
정전용량/예제1/예제2/
특성 임피던스
인덕턴스, 정전용량, 특성 임피던스
가공송전선과 지중케이블에 대하여 인덕턴스와 정전용량을 비교 설명하시오.
파동 임피던스가 400[Ω]인 가공송전선의 1[km]당 정전용량과 인덕턴스를 구하시오.
이상전압의 발생과 전파과정에서 나오는 진행파의 기본수식을 유도하고 파동임피던스 및 전파속도를 구하시오.

인덕턴스
단일 도체의 인덕턴스

1) 내부 인덕턴스(0~r)
Lin=0.05
2) 외부 인덕턴스(r~D)
Lext=0.4605log10Dr
3) 단일 도체의 인덕턴스
L=0.05+0.4605log10Dr[mH/㎞]
※ 도체에 균일하게 전류가 흐르는 경우로 해석
1) 내부 자계 및 자속밀도
전류밀도가 균일한 조건에서
πr2:πρ2=I:I′→I′=ρ2r2×I
∮l→H⋅→dl=I′
(폐경로의 반지름을 ρ라고 하면)
H×2πρ=ρ2r2×I→H=ρI2πr2
→B=μ0ρI2πr2
2) 외부자계 및 자속밀도
∮l→H⋅→dl=I
(폐경로의 반지름을 ρ라고 하면)
H×2πρ=I→H=I2πρ→B=μ0I2πρ
3) 내부 인덕턴스(자계에너지 밀도)
ω=B22μ0[j/m3]
W=∫VB22μ0dV=12μ0∫10∫2π0∫r0(μ0ρI2πr2)2ρdρdϕdz=12μ0×μ20I24π2r4×14r4×2π×1
=12(μ08π)×I2=12LinI2→Lin
=μ08π=0.05[mH/㎞]
4) 외부 인덕턴스
Φ=∫s→B⋅→ds=∫10∫Drμ0I2πρdρdz
=μ0I2π×lnDr×1
Lext=ΦI=μ02πlnDr[H/m]
=0.4605log10Dr[mH/㎞]
주파수가 매우 큰 경우에 표피효과로 인하여 모든 전류가 도체표면에만 흐르는 경우는 내부 자계가 존재하지 않기 때문에 내부 인덕턴스는 존재하지 않는다.
도체의 내부에 전류가 분포하더라도 그 값이 외부의 값에 비해서 매우 작기 때문에 개략적인 인덕턴스를 구할 때 생략하는 경우가 많다.
다도체(복도체)의 인덕턴스

L=0.05n+0.4605log10Dre[mH/㎞]
re=n√r×Sn−1
r:소도체반지름S:소도체의등가거리
S=6√d4×(√2d)2⋅⋅⋅4도체
S=15√d6×(√2d)3×(√3d)6⋅⋅⋅6도체
→등가반지름(re)증가로단도체에비해서20 30%감소
1선 대지귀로 인덕턴스(자기 인덕턴스)

1) 왕로의 인덕턴스
L=0.05+0.4605log102Her
2) 귀로인덕턴스
L=0.05+0.4605log10h+HH
=0.05[mH/㎞]
3) 1선 대지귀로 인덕턴스
L=0.1+0.4605log102Her[mH/㎞]
He=h+H2:등가대지면깊이
3상 1회선 1선당 작용 인덕턴스
1) 작용 인덕턴스 = 자기 인덕턴스(Ls) + 상호 인덕턴스(Lm)

D=3√D12×D23×D31⋅⋅⋅등가선간거리
L=0.05+0.4605log10Dr[mH/㎞]
→케이블의 경우 등가 선간거리가 가공선에 비해서 현저히 감소하므로 개략적으로 가공에 비해서 1/3정도 인덕턴스가 감소한다.
2) 3상 1회선 1선당 인덕턴스의 개략값
- 자기 인덕턴스(1선 대지귀로 인덕턴스): 2.4[mH/㎞]
- 상호 인덕턴스: 1.1[mH/㎞]
(1) 3상 평형시→작용 인덕턴스: 2.4-1.1= 1.3[mH/㎞]

(2) 1선 지락고장시 →작용 인덕턴스: 2.4+(2×1.1)= 4.6[mH/㎞]

답글 남기기