정류기✦

0.6.0★N!220722

1.전력용 반도체 소자

구분소자방향특징
2단자DIAC
SSS트리거 소자
3단자TRIACSCR역병렬구조
SCR(1)
GTO자기소호,턴온 : 게이트(+)
턴오프 : 게이트(-)
4단자SCS게이트 : 2개

(1)SCR의 특징

전력용 반도체

  • PNPN 구조로 대전류제어 정류용으로 이용한다
  • 턴온 : A와 G에 (+), K에(-) 전원 인가
  • 턴오프 : A-K사이 전압 차단, 역방향 인가, 주전원 차단
  • 게이트 전류로 통전 전압을 가변
  • 유지전류 : ON 상태를 유지하기 위한 최소전류(20[mA])
  • 래칭전류 : 턴온시키는데 필요한 최소의 양극 전류(80[mA])
  • 순저지 상태 : 게이트에 전류가 흐르기 전에 A(+),K(-)전압을 인가한 상태
  • 직류가변 전압회로, 교류의 위상제어, 스위치용, 인버터에 사용한다
  • 과전압 및 고온에 약하다

2.정류회로의 출력전압

(1)다이오드의 출력전압

단상 반파 정류단상 전파 정류
\[E_d=\frac{\sqrt{2}E}{\pi}=0.45E\]\[E_d=\frac{2\sqrt{2}E}{\pi}=0.9E\]
3상 반파 정류3상 전파 정류
\[E_d=1.17E\]\[E_d=1.35E\]

(2)SCR의 출력전압

단상 반파 정류단상 전파 정류
R부하
\[E_d=0.45E(\frac{1+\cos\alpha}{2})\]\[E_d=0.45E(1+\cos\alpha)\]
L부하
\[E_d=0.45E\cos\alpha\]\[E_d=0.9E\cos\alpha\]
3상 반파 정류3상 전파 정류
\[E_d=\frac{3\sqrt{6}}{\pi}E\cos\alpha\]\[E_d=\frac{3\sqrt{2}}{\pi}E\cos\alpha\]

3.정류회로의 맥동률

\[맥동률=\sqrt{\frac{실횻값^2-평균값^2}{평균값^2}}\times 100=\frac{교류분}{직류분}\times 100\]
정류종류단상반파단상전파3상반파3상전파
맥동률[%]1214817.74.04
맥동
주파수[Hz]
f2f3f6f
정류
효율[%]
40.581.196.799.8
역전압
첨두값
\[\sqrt2E\]\[\piE_d\]\[2\sqrt2E\]\[\piE_d\]\[\sqrt6E\]\[\sqrt6E\]

4.반도체 제어

(1)전력변환기기

  • 인버터 : 직류-교류
  • 정류 : 교류-직류
  • 초퍼 : 직류-직류
  • 사이클로컨버터 : 교류-교류
1.직류기
2.변압기
3.동기기
4.유도전동기
5.정류기

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