[acf field=ver]★[acf field=rate]![acf field=edited]
1.전력용 반도체 소자
구분 | 소자 | 방향 | 특징 |
---|---|---|---|
2단자 | DIAC | 쌍 | |
SSS | 쌍 | 트리거 소자 | |
3단자 | TRIAC | 쌍 | SCR역병렬구조 |
SCR | 단 | (1) | |
GTO | 단 | 자기소호,턴온 : 게이트(+) 턴오프 : 게이트(-) | |
4단자 | SCS | 단 | 게이트 : 2개 |
(1)SCR의 특징
- PNPN 구조로 대전류제어 정류용으로 이용한다
- 턴온 : A와 G에 (+), K에(-) 전원 인가
- 턴오프 : A-K사이 전압 차단, 역방향 인가, 주전원 차단
- 게이트 전류로 통전 전압을 가변
- 유지전류 : ON 상태를 유지하기 위한 최소전류(20[mA])
- 래칭전류 : 턴온시키는데 필요한 최소의 양극 전류(80[mA])
- 순저지 상태 : 게이트에 전류가 흐르기 전에 A(+),K(-)전압을 인가한 상태
- 직류가변 전압회로, 교류의 위상제어, 스위치용, 인버터에 사용한다
- 과전압 및 고온에 약하다
2.정류회로의 출력전압
(1)다이오드의 출력전압
단상 반파 정류 | 단상 전파 정류 |
Ed=√2Eπ=0.45E | Ed=2√2Eπ=0.9E |
3상 반파 정류 | 3상 전파 정류 |
Ed=1.17E | Ed=1.35E |
(2)SCR의 출력전압
단상 반파 정류 | 단상 전파 정류 |
R부하 | |
Ed=0.45E(1+cosα2) | Ed=0.45E(1+cosα) |
L부하 | |
Ed=0.45Ecosα | Ed=0.9Ecosα |
3상 반파 정류 | 3상 전파 정류 |
Ed=3√6πEcosα | Ed=3√2πEcosα |
3.정류회로의 맥동률
맥동률=√실횻값2−평균값2평균값2×100=교류분직류분×100
정류종류 | 단상반파 | 단상전파 | 3상반파 | 3상전파 |
맥동률[%] | 121 | 48 | 17.7 | 4.04 |
맥동 주파수[Hz] | f | 2f | 3f | 6f |
정류 효율[%] | 40.5 | 81.1 | 96.7 | 99.8 |
역전압 첨두값 | √2E\piEd | 2√2E\piEd | √6E | √6E |
4.반도체 제어
(1)전력변환기기
- 인버터 : 직류-교류
- 정류 : 교류-직류
- 초퍼 : 직류-직류
- 사이클로컨버터 : 교류-교류
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