[acf field=ver]★[acf field=rate]![acf field=edited]
종류
1)실리콘 반도체
- 단결정, 다결정, 다결정 박막(결정체)
- 아몰퍼스 Si(비결정체)
2)화합물 반도체
- GaAs, InP
3)유무기 반도체
- 염료감응형, 고분자
등가모델
\[I=I_{ph}-I_{D}-I_{sh}=I_{ph}-I_{o}(e^{\frac{q(V+IR_s)}{nkT}}-1)-\frac{V+IR_S}{R_{sh}}\]
전기적 특성
1)I-V 특성곡선
- 단락전류
- 임피던스가 낮을 때 단락회로 조건에 상응하는 셀을 통해 전달되는 최대전류를 나타낸다
- 이상적 셀은 최대 전류값이 광자 여기에 의한 태양저지에서 생성한 전체 전류이다
- 개방전압
- 셀 전반의 최대 전압차이며 셀을 통해 전달되는 전류가 없을 때 발생
2)FF(Fill Factor)
\[FF=\frac{P_{max}}{P_t}=\frac{I_{mp}\cdot V_{mp}}{I_{sc}\cdot V_{oc}}\]
- Voc와 Isc가 같더라도 Pmax가 큰 태양전지는 어깨가 뾰족해진다
(Voc와 Isc가 같으면 FF=0.6~0.8까지 변화시킨 플롯)
- 최대전력을 개방전압과 단자회로 전류에서 출력하는 이론상 전력과 비교하여 계산
- 태양전지 품질에 있어서 가장 중요한 척도이며, 정사각형 영역의 비로 비석할 수 있다
- 효율과 FF관계
\[n=\frac{P_{mpp}}{E\cdot A}=\frac{I_{mp}\cdot V_{mp}}{E \cdot A}=\frac{FF\cdot I_{sc}\cdot V_{oc}}{E\cdot A}\]
- FF저하방지
- 도핑 농도를 크게 한다
- PN접합의 깊이를 0.3~0.5[μm]로 하고, 표면저항은 50±5[Ω] 정도 유지
- 전극면적을 1[㎠]당 1[Ω]이하 값으로 최소화
★재생에너지
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